Thông tin tài liệu


Nhan đề : Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo Transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN
Tác giả : Nguyễn Trung Đô
Người hướng dẫn: Nguyễn Ngọc Trung
Nguyễn Hoàng Thoan
Từ khoá : Transistor
Năm xuất bản : 2024
Nhà xuất bản : Trường đại học Bách Khoa Hà Nội
Tóm tắt : Tổng quan về bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT; mô phỏng vật liệu GaN và GaN HEMT; chế tạo thử nghiệm linh kiện HEMT; nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOA-HEMT sử dụng lớp điện môi HIGH-k.
URI: http://dlib.hust.edu.vn/handle/HUST/25689
Trong bộ sưu tập: Ts-Vật lý kỹ thuật
XEM MÔ TẢ

35

XEM & TẢI

4

Danh sách tệp tin đính kèm:
Ảnh bìa
  • 338132.pdf
      Restricted Access
    • Dung lượng : 5,34 MB

    • Định dạng : Adobe PDF

  • Ảnh bìa
  • 339132-TT.pdf
      Restricted Access
    • Dung lượng : 1,44 MB

    • Định dạng : Adobe PDF



  • Khi sử dụng tài liệu trong thư viện số bạn đọc phải tuân thủ đầy đủ luật bản quyền.