Thông tin tài liệu

Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorNguyễn Ngọc Trung-
dc.contributor.advisorNguyễn Hoàng Thoan-
dc.contributor.authorNguyễn Trung Đô-
dc.date.accessioned2024-11-11T04:12:23Z-
dc.date.available2024-11-11T04:12:23Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.other000000338132-
dc.identifier.urihttp://dlib.hust.edu.vn/handle/HUST/25689-
dc.description.abstractTổng quan về bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT; mô phỏng vật liệu GaN và GaN HEMT; chế tạo thử nghiệm linh kiện HEMT; nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOA-HEMT sử dụng lớp điện môi HIGH-k.-
dc.publisherTrường đại học Bách Khoa Hà Nội-
dc.subjectTransistor-
dc.subject.lccTK7871.89-
dc.titleNghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo Transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN-
Appears in Collections:Ts-Vật lý kỹ thuật

Files in This Item:
Thumbnail
  • 338132.pdf
      Restricted Access
    • Size : 5,34 MB

    • Format : Adobe PDF

  • Thumbnail
  • 339132-TT.pdf
      Restricted Access
    • Size : 1,44 MB

    • Format : Adobe PDF



  • Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.