Thông tin tài liệu
| Nhan đề : | Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời màng mỏng glass/TCO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR |
| Tác giả : | Lưu Thị Lan Anh |
| Người hướng dẫn: | Võ Thạch Sơn |
| Từ khoá : | Pin mặt trời; Lớp chức năng nano ZnO |
| Năm xuất bản : | 2014 |
| Nhà xuất bản : | Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội |
| Tóm tắt : | Tổng quan năng lượng mặt trời, hiệu ứng PV (PhotoVoltaic effect) và linh kiện quang điện sử dụng hiệu ứng PV, cơ sở vật lý của pin mặt trời, pin mặt trời màng mỏng chalcopyrite,...Nghiên cứu công nghệ lắng đọng các lớp chức năng trong cấu trúc pin mặt trời màng mỏng. Khảo sát các phân biên ZnO/CdS/CulnS2/Me lắng động bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS. Thiết kế và chế tạo thử nghiệm pin mặt trời cấu trúc nano hệ glass/nano ZnO/CdS/CulnS2. |
| Mô tả: | Luận án tiến sỹ - Chuyên ngành: Vật lý kỹ thuật - Mã số: 62520401 |
| URI: | http://dlib.hust.edu.vn/handle/HUST/5320 |
| Trong bộ sưu tập: | Ts-Vật lý kỹ thuật |
XEM MÔ TẢ
663
XEM & TẢI
334
Danh sách tệp tin đính kèm:
Khi sử dụng tài liệu trong thư viện số bạn đọc phải tuân thủ đầy đủ luật bản quyền.