Duyệt

Hồ sơ tác giả

Topic

08 - Khoa Vật lý Kỹ thuật

URL

Duyệt 08 - Khoa Vật lý Kỹ thuật theo Chủ đề "Linh kiện bán dẫn"

Duyệt theo:
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
Hoặc nhập chữ cái đầu tiên:
Đang hiển thị 1 - 1 của tổng số 1 kết quả
Hiển thị
  • Hình ảnh thu nhỏ
    Ấn phẩm
    Nghiên cứu xây dựng mô hình mô phỏng đặc trưng điện của transitor MOS-HEMT dựa trên bán dẫn có độ linh động điện tử cao GaN
    (Đại học Bách Khoa Hà Nội, 2025) Nguyễn Thủy Trung; Nguyễn Hoàng Thoan
    Nghiên cứu và mô phỏng đặc tính điện của linh kiện GaN MOS-HEMT dựa trên vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng. Mô hình mô phỏng được xây dựng để phân tích ảnh hưởng của các lớp vật liệu (TiO₂/AlGaN/GaN) đến đặc trưng dòng–áp và khả năng dẫn điện của linh kiện. Kết quả cho thấy cấu trúc MOS-HEMT cải thiện đáng kể độ linh động điện tử và dòng bão hòa so với HEMT truyền thống, khẳng định tiềm năng ứng dụng trong các thiết bị điện tử công suất và tần số cao.